ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT29F8G08ABABAWP-AITX:B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP I | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29F8G08 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-AITX:B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT29F8G08ABABAWP-AITX:B | MT29F8G08ABACAH4-IT:C | MT29F8G08ABABAWP-AATX:B | MT29F8G08ABABAWP-IT:B |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ชุด | - | - | Automotive, AEC-Q100 | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | 1G x 8 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29F8G08 | MT29F8G08 | MT29F8G08 | MT29F8G08 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 63-VFBGA | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP I | 63-VFBGA (9x11) | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 105°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | 8Gbit | 8Gbit | 8Gbit |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT29F8G08ABABAWP-AITX:B PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT29F8G08ABABAWP-AITX:B - Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-ITMicron TechnologyMT29F8G08ABABAWPBMicron TechnologyMT29F8G08ABABAWP-ITMicronMT29F8G08AAAWP:AMicron TechnologyMT29F8G01ADBFD12-IT:FMicron
MT29F64G08TAAWP:AMTMT29F8G08ABACAH4-IT:CMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGAMT29F8G08ABABAWP-AATX:BMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP IMT29F8G08ABABAWPMicron TechnologyMT29F8G01ADBFD12-AAT:FMicronMT29F8G08ABABAMicron TechnologyMT29F8G08ABABAWO-IT:BMicron TechnologyMT29F8G08ABACAWPMicronMT29F64G08UAAC6:AMicron TechnologyMT29F8G08ABABAWP-IT:BMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP IMT29F8G08ABABAWP:BMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP IMT29F8G08ABACAH4:CMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGAMT29F8G08ABABAWP-ITX:BMicron Technology Inc.IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที