ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 30ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 149-VFBGA (8x9.5) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 149-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TA) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | ONFI | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | |
| เวลาในการเข้าถึง | 25 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 | MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K | MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 | MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | - | - | 512M x 8 (NAND), 128M x 32 (LPDDR4) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | - | - | 1.8V |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | - | - | FLASH, RAM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | - | - | 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR4) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | - | - | Non-Volatile, Volatile |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tray | Bulk | Tray |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND (SLC), DRAM - LPDDR4 | - | - | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 30ns | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TA) | - | - | -40°C ~ 105°C (TC) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | ONFI | - | - | Parallel |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | - | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 149-VFBGA | - | - | 149-WFBGA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 149-VFBGA (8x9.5) | - | - | 149-WFBGA (8x9.5) |
| เวลาในการเข้าถึง | 25 ns | - | - | - |
MT29KZZZ4D4TGFAK-5Micron TechnologyMT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCPMT29MZZZ4D1QJFKP-25Micron TechnologyMT29MZZZ4D1QJFKP-25I.61XMicron TechnologyMT29GZ5A5BPGGA-046AAT.87JMicronMT29KZZZ4D4RGRAK-5 WMicron TechnologyMT29KZZZ4D4RGFAK-5Micron TechnologyMT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4Micron Technology Inc.IC FLASH 36G MLC DDRMT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87JMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4G PAR 149WFBGAMT29GZ6A6BPIET-53IT.112MicronMT29GZ5A3BPGGA-53IT.87KMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCPMT29GZ6A6BPIET-046IT.112MicronMT29KZZZ4D4TGFAK-5W.6Z4Micron TechnologyMT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87JMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCPMT29GZ5A5BPGGA-046IT.87JMicronMT29PZZZ4D4BKESK-18W.94HMicron TechnologyMT29GZ5A5BPGGA-53IT.87JMicronMT29GZ6A6BPIET-046AAT.112Micron| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที