ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.8V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | - | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 533 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29RZ4C8 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B1A |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D | MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U | MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 | MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Bulk | Bulk | Bulk |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH, RAM | - | - | - |
| ความถี่นาฬิกา | 533 MHz | - | - | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT29RZ4C8 | MT29RZ4 | MT29TZZZ5 | MT29RZ4 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -25°C ~ 85°C (TA) | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.8V | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile, Volatile | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D - Micron Technology Inc.
MT29TZZZ5D6DKFRL-107W.9A6Micron TechnologyMT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80UMicron Technology Inc.IC FLASH 8G DDRMT29RZ4C4DZZHHMM-25 I.42RMicron TechnologyMT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6Micron Technology Inc.MLC EMMC/LPDDR3 144GMT29TZZZ5D6EKFRL-107Micron Technology
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80UMicrel / Microchip TechnologyMT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80UMicron Technology Inc.IC FLASH 8G DDRMT29RZ4B4DZZNGPL-18WE4U2Micron TechnologyMT29RZ4C2DZZHGSK-18MTMT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80EMicron Technology Inc.IC FLASH 6G DDR2
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80CMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGAMT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81UMicron Technology Inc.IC FLASH 12G DDRMT29T2227D7EKKBT-107W.97VMicron TechnologyMT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96RMicron Technology Inc.MLC EMMC/LPDDR3 144GMT29TZZ8D5BKFAH-125W9.5KMicron TechnologyMT29TZZZ4D4BKERL-125Micron TechnologyMT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94MMicron Technology Inc.MLC EMMC/LPDDR2 36GMT29RZ4B8DZZNHSK-18W.4T2Micron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที