ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT40A256M16LY-075:F
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT40A256M16LY-075:F คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT40A256M16LY-075:F
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.26V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 96-FBGA (7.5x13.5) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 96-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | POD | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.333 GHz | |
| เวลาในการเข้าถึง | 19 ns |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-075:F
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT40A256M16LY-075:F | MT40A2G8FSE-093E:A | MT40A2G4PM-083E:A | MT40A256M16LY-062E IT:F |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | POD | Parallel | Parallel | Parallel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Tray | Bulk | Tray |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 96-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA | 96-TFBGA |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR4 | SDRAM - DDR4 | SDRAM - DDR4 | SDRAM - DDR4 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 16 | 2G x 8 | 2G x 4 | 256M x 16 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.26V | 1.14V ~ 1.26V | 1.14V ~ 1.26V | 1.14V ~ 1.26V |
| เวลาในการเข้าถึง | 19 ns | - | - | 13.75 ns |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | 16Gbit | 8Gbit | 4Gbit |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 96-FBGA (7.5x13.5) | 78-FBGA (9.5x13) | 78-FBGA (9x13.2) | 96-FBGA (7.5x13.5) |
| ความถี่นาฬิกา | 1.333 GHz | 1.066 GHz | 1.2 GHz | 1.6 GHz |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT40A256M16LY-075:F PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT40A256M16LY-075:F - Micron Technology Inc.
MT40A256M16HA093E:AMicron TechnologyMT40A2G8FSE-093E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGAMT40A256M16LY-062EIT:FMicronMT40A2G4SA-062E:JMicronMT40A256M16LY-062EMicronMT40A2G4PM-083E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGAMT40A256M16GE-083EIT:BMicron TechnologyMT40A256M16GE-083EBMicron TechnologyMT40A256M16LY-062E IT:FMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAMT40A2G8JC-062E IT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGAMT40A2G16SKL-062E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT PARALLEL 96FBGAMT40A2G16SKL-062E ES:BMicron TechnologyMT40A256M16LY-062E:FMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAMT40A256M16LY-075Micron Technology
MT40A2G4SA-075:EMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAMT40A2G4SA-062E:RMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAMT40A256M16GE-E.:BNICRON
MT40A2G4WE-083E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที