ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT41J256M8HX-125:D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT41J256M8HX-125:D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT41J256M8HX-125:D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.425V ~ 1.575V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (9x11.5) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41J256M8 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.75 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-125:D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT41J256M8HX-125:D | MT41J256M8HX-187E:D | MT41J256M8DA-125:K | MT41J256M8HX-15E:D |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Gbit | 2Gbit | 2Gbit | 2Gbit |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.425V ~ 1.575V | 1.425V ~ 1.575V | 1.425V ~ 1.575V | 1.425V ~ 1.575V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41J256M8 | MT41J256M8 | MT41J256M8 | MT41J256M8 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 8 | 256M x 8 | 256M x 8 | 256M x 8 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.75 ns | 13.125 ns | 13.75 ns | 13.5 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (9x11.5) | 78-FBGA (9x11.5) | 78-FBGA (8x10.5) | 78-FBGA (9x11.5) |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | 533 MHz | 800 MHz | 667 MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Bulk | Tray |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT41J256M8HX-125:D PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT41J256M8HX-125:D - Micron Technology Inc.
MT41J256M16RE-15EITMicronMT41J256M8HX-187E:DMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGAMT41J256M8DA-125:KMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGAMT41J256M8HX-15EIT:DMTMT41J256M8HX-15E:DMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGAMT41J512M8RA-125Micron TechnologyMT41J256M8DA-093:KMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGAMT41J256M8DA-125MicronMT41J512M8RA-125:DMicron TechnologyMT41J256M8HX-15EAIT:DMicronMT41J256M8DA-15E:JMicron TechnologyMT41J256M8DA-107:KMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGAMT41J256M4JP-15E:FMicron TechnologyMT41J256M8HX-15EMicronMT41J512M4HX-15E:DMicronMT41J256M8JE-187E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 82FBGAMT41J256M16RE-15EIT:DMicron TechnologyMT41J256M4JP-15E:GMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที