ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT41J512M8THU-15E:A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT41J512M8THU-15E:A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT41J512M8THU-15E:A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.425V ~ 1.575V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 82-FBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 667 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41J512M8 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.5 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT41J512M8THU-15E:A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT41J512M8THU-15E:A | MT41J256M8HX-187E:D | MT41J256M8JE-187E:A | MT41J512M8RH-107:E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | 2Gbit | 2Gbit | 4Gbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.425V ~ 1.575V | 1.425V ~ 1.575V | 1.425V ~ 1.575V | 1.425V ~ 1.575V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41J512M8 | MT41J256M8 | MT41J256M8 | MT41J512M8 |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 8 | 256M x 8 | 256M x 8 | 512M x 8 |
| ความถี่นาฬิกา | 667 MHz | 533 MHz | 533 MHz | 933 MHz |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.5 ns | 13.125 ns | 13.125 ns | 20 ns |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ชุด | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | 78-FBGA (9x11.5) | 82-FBGA (12.5x15.5) | 78-FBGA (9x10.5) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 82-FBGA | 78-TFBGA | 82-FBGA | 78-TFBGA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT41J512M8THU-15E:A PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT41J512M8THU-15E:A - Micron Technology Inc.
MT41J256M8HX-187E:DMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGAMT41J256M8JE-187E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PAR 82FBGAMT41J512M8RH-107:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAMT41J64M16JT-107G:GMicron TechnologyMT41J64M16JT-125GMicron TechnologyMT41J64M16JT-15EMicron TechnologyMT41J512M8THU-187E:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 533MHZMT41J512M8RA-15EIT:DMicron Technology
MT41J64M16JT-125:GMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGAMT41J512M8THD-15E:DMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAMT41J512M8RA-125Micron TechnologyMT41J64M16JT-107:GMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGAMT41J64M16JTMicron TechnologyMT41J512M8RH-093:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAMT41J64M16JT-125G:GMicron TechnologyMT41J512M8RA-15E:DMicron TechnologyMT41J64M16JT-107GMicron TechnologyMT41J64M16JT-125Micron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที