ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT41K128M8JP-125:G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT41K128M8JP-125:G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT41K128M8JP-125:G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.283V ~ 1.45V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3L | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (8x11.5) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41K128M8 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.75 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-125:G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT41K128M8JP-125:G | MT41K128M8JP-15E:G | MT41K128M8DA-107:J | MT41K1G4DA-107:P |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.75 ns | 13.5 ns | 20 ns | 20 ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41K128M8 | MT41K128M8 | MT41K128M8 | MT41K1G4 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | 1Gbit | 1Gbit | 4Gbit |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3L | SDRAM - DDR3 | SDRAM - DDR3L | SDRAM - DDR3L |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | 667 MHz | 933 MHz | 933 MHz |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tray | Tray |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.283V ~ 1.45V | 1.283V ~ 1.45V | 1.283V ~ 1.45V | 1.283V ~ 1.45V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (8x11.5) | 78-FBGA (8x11.5) | 78-FBGA (8x10.5) | 78-FBGA (8x10.5) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 8 | 128M x 8 | 128M x 8 | 1G x 4 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT41K128M8JP-125:G PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT41K128M8JP-125:G - Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125MKMicron TechnologyMT41K128M16JT-125M:KMicron TechnologyMT41K128M8JP-15E:GMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGAMT41K128M8DA-107:JMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGAMT41K1G4DA-107:PMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAMT41K1G4RH-125:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGAMT41K128M16JT-125XIT:KMicron TechnologyMT41K1G8RKB-107:PMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGAMT41K128M8JP-187E:FMicron TechnologyMT41K1G8SN-107Micron TechnologyMT41K128M8JP-15E:FMicron TechnologyMT41K128M8DA-107 ITJMicron TechnologyMT41K128M8JP-15EGMicron TechnologyMT41K1G4RH-107:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAMT41K128M16TW-107 IT:PMicron TechnologyMT41K128M8DA-107 IT:JMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGAMT41K1G8RKB-107:NMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGAMT41K128M8DA-107IT:JMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที