ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT41K1G8SN-125:A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT41K1G8SN-125:A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT41K1G8SN-125:A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.283V ~ 1.45V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3L | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (9x13.2) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41K1G8 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.75 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-125:A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT41K1G8SN-125:A | MT41K256M16HA-107:E | MT41K1G4RH-107:E | MT41K1G4RH-125:E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR3L | SDRAM - DDR3L | SDRAM - DDR3L | SDRAM - DDR3 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT41K1G8 | MT41K256M16 | MT41K1G4 | MT41K1G4 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความถี่นาฬิกา | 800 MHz | 933 MHz | 933 MHz | 800 MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | 96-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | 256M x 16 | 1G x 4 | 1G x 4 |
| เวลาในการเข้าถึง | 13.75 ns | 20 ns | 20 ns | 13.75 ns |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.283V ~ 1.45V | 1.283V ~ 1.45V | 1.283V ~ 1.45V | 1.283V ~ 1.45V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (9x13.2) | 96-FBGA (9x14) | 78-FBGA (9x10.5) | 78-FBGA (9x10.5) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT41K1G8SN-125:A PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT41K1G8SN-125:A - Micron Technology Inc.
MT41K256M16HA-107:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGAMT41K1G4RH-107:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAMT41K1G8SN-125ITAMicron TechnologyMT41K256M16HA-107GMicron TechnologyMT41K1G4RH-125:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M16HA-107MTMT41K256Micron TechnologyMT41K1G8SN-107Micron TechnologyMT41K256M16HA-107 IT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K1G4DA-107:PMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGAMT41K1G8TRF-125:EMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAMT41K1G8SN-107IT:AMicron TechnologyMT41K1G8SN-107:AMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGAMT41K1G8RKB-107:PMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGAMT41K1G8SN-125 IT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAMT41K128M8JP-187E:FMicron TechnologyMT41K1G8SN-125IT:AMicron TechnologyMT41K1G8RKB-107:NMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที