ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT45W4MW16BBB-706 L WT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT45W4MW16BBB-706 L WT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT45W4MW16BBB-706 L WT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | |
| เทคโนโลยี | PSRAM (Pseudo SRAM) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-VFBGA (6x9) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 64Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | PSRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT45W4MW16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT45W4MW16BBB-706 L WT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT45W4MW16BBB-706 L WT | MT45W2MW16PAFA-85 WT | MT45W4MW16BCGB-701 WT | MT45W2MW16PGA-70 IT |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| รูปแบบหน่วยความจำ | PSRAM | PSRAM | PSRAM | PSRAM |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 16 | 2M x 16 | 4M x 16 | 2M x 16 |
| ชุด | - | - | - | - |
| เวลาในการเข้าถึง | 70 ns | 85 ns | 70 ns | 70 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-VFBGA (6x9) | 48-VFBGA (6x8) | 54-VFBGA (6x8) | 48-VFBGA (6x8) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 64Mbit | 32Mbit | 64Mbit | 32Mbit |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT45W4MW16 | MT45W2MW16 | MT45W4MW16 | MT45W2MW16 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Tray | Tray |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 85°C (TC) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 70ns | 85ns | 70ns | 70ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-VFBGA | 48-VFBGA | 54-VFBGA | 48-VFBGA |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V |
| เทคโนโลยี | PSRAM (Pseudo SRAM) | PSRAM (Pseudo SRAM) | PSRAM (Pseudo SRAM) | PSRAM (Pseudo SRAM) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT45W4MW16BBB-706 L WT PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT45W4MW16BBB-706 L WT - Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BCGB-701WTMicron TechnologyMT45W2MW16PABA-70WTMicron TechnologyMT45W2MW16PFA-70WTMicron TechnologyMT45W2MW16PGA-70WTMicron TechnologyMT45W2MW16PAFA-85 WTMicron Technology Inc.IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48VFBGAMT45W4MW16BCGB-701 WTMicron Technology Inc.IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGAMT45W2MW16PAFA-70WTMicron TechnologyMT45W4MW16BBB-706LWTMicron TechnologyMT45W2MW16PFA-70 WTMicron TechnologyMT45W2MW16PGA-70 ITMicron Technology Inc.IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48VFBGAMT45W2MW16PGA-70ITMicron TechnologyMT45W4MW16BBB-706 WTMicron TechnologyMT45W4MW16BCGB-708 WTMicron Technology Inc.IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGAMT45W4MW16BBB-706 LWTMicron Technology
MT45W2MW16PAFA-85WTMTMT45W4MW16BCGB-701ITMicron TechnologyMT45W2MW16PABA-70 WTMicron Technology Inc.IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48VFBGAMT45W4MW16BBB-706WTMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที