ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT47H256M4CF-3:H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT47H256M4CF-3:H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT47H256M4CF-3:H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR2 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-FBGA (8x10) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 4 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 333 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT47H256M4 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 450 ps |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT47H256M4CF-3:H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT47H256M4CF-3:H | MT47H256M8EB-25E IT:C | MT47H1G4WTR-25E:C | MT47H256M4CF-25E:H |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | 60-TFBGA | 63-FBGA | 60-TFBGA |
| ความถี่นาฬิกา | 333 MHz | 400 MHz | 400 MHz | 400 MHz |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 85°C (TC) | 0°C ~ 85°C (TC) |
| เวลาในการเข้าถึง | 450 ps | 400 ps | 400 ps | 400 ps |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 4 | 256M x 8 | 1G x 4 | 256M x 4 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 1Gbit | 2Gbit | 4Gbit | 1Gbit |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | 15ns | 15ns | 15ns |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT47H256M4 | MT47H256M8 | MT47H1G4 | MT47H256M4 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Bulk | Tray |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-FBGA (8x10) | 60-FBGA (9x11.5) | 63-FBGA (9x11.5) | 60-FBGA (8x10) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT47H256M4CF-3:H PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT47H256M4CF-3:H - Micron Technology Inc.
MT47H16M16BG37E:BMicron Technology
MT47H16M16BG-5EITMTMT47H256M4HQ-25E:GMicron TechnologyMT47H256M4CF-3:HTRMicron TechnologyMT47H256M4HQ-3:GMicron TechnologyMT47H256M8EB-25E IT:CMicron Technology Inc.IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGAMT47H16M16FG-37EIT:BMicron TechnologyMT47H16M16BG-3IT:BMicron TechnologyMT47H1G4WTR-25E:CMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGAMT47H256M8EB-25EMicronMT47H256M8EB-25E :CMicron TechnologyMT47H256M4HQ-37E:EMicron TechnologyMT47H256M4CF-25E:HMicron Technology Inc.IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGAMT47H256M4CF-3:H/TRMicron Technology
MT47H16M16BG-5E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGAMT47H16M16FG-5E IT:BMicron TechnologyMT47H256M4HQ-3:EMicron TechnologyMT47H16M16BG-3ITMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที