ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT47H64M8CF-25E:G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT47H64M8CF-25E:G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT47H64M8CF-25E:G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR2 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-FBGA (8x10) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 400 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT47H64M8 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 400 ps |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0028 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E:G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT47H64M8CF-25E:G | MT47H64M8CB-37E:B | MT47H64M8CF-25E IT:G | MT47H64M8JN-25E IT:G |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | 15ns | 15ns | 15ns |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 60-TFBGA | 60-FBGA | 60-TFBGA | 60-TFBGA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 85°C (TC) | 0°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) |
| ความถี่นาฬิกา | 400 MHz | 267 MHz | 400 MHz | 400 MHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT47H64M8 | MT47H64M8 | MT47H64M8 | MT47H64M8 |
| เวลาในการเข้าถึง | 400 ps | 500 ps | 400 ps | 400 ps |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 60-FBGA (8x10) | 60-FBGA | 60-FBGA (8x10) | 60-FBGA (8x10) |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 | SDRAM - DDR2 |
| องค์กรหน่วยความจำ | 64M x 8 | 64M x 8 | 64M x 8 | 64M x 8 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Bulk |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ขนาดหน่วยความจำ | 512Mbit | 512Mbit | 512Mbit | 512Mbit |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT47H64M8CF-25E:G PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT47H64M8CF-25E:G - Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M4BP-37EMicron TechnologyMT47H64M8CF-3MicronMT47H64M8B6-25E:DMicron TechnologyMT47H64M8CF-3IT:FMicron TechnologyMT47H64M8CF-3:FMicron TechnologyMT47H64M8CF-25EIT:GMicron TechnologyMT47H64M8CF-25E IT:GMicron Technology Inc.IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGAMT47H64M8CF-25:FMicron TechnologyMT47H64M8CF-25EITMicron TechnologyMT47H64M8JN-25E IT:GMicron Technology Inc.IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGAMT47H64M8CB-3:BMicron Technology Inc.IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGAMT47H64M8CF-3ITMicron TechnologyMT47H64M8CF-37E:FMicron TechnologyMT47H64M8CB-3Micron TechnologyMT47H64M8CF-25E ITGMicron TechnologyMT47H64M8CF-3 IT:FMicron TechnologyMT47H64M8B6-3:DMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที