ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT48H4M16LFB4-75:H
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT48H4M16LFB4-75:H คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT48H4M16LFB4-75:H
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPSDR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-VFBGA (8x8) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 64Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 133 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT48H4M16 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 6 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-75:H
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT48H4M16LFB4-75:H | MT48H4M32LFB5-75:K | MT48H4M16LFB4-8 | MT48H4M16LFB4-8:H |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPSDR | SDRAM - Mobile LPSDR | SDRAM - Mobile LPSDR | SDRAM - Mobile LPSDR |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 54-VFBGA (8x8) | 90-VFBGA (8x13) | 54-VFBGA (8x8) | 54-VFBGA (8x8) |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 15ns | 15ns | 15ns | 15ns |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 16 | 4M x 32 | 4M x 16 | 4M x 16 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT48H4M16 | MT48H4M32 | MT48H4M16 | MT48H4M16 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| เวลาในการเข้าถึง | 6 ns | 5.4 ns | 6 ns | 6 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 54-VFBGA | 90-VFBGA | 54-VFBGA | 54-VFBGA |
| ขนาดหน่วยความจำ | 64Mbit | 128Mbit | 64Mbit | 64Mbit |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V |
| ความถี่นาฬิกา | 133 MHz | 133 MHz | 125 MHz | 125 MHz |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT48H4M16LFB4-75:H PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT48H4M16LFB4-75:H - Micron Technology Inc.
MT48H4M16LFB4-8ITMicrel / Microchip Technology
MT48H8M16LFB4Micron TechnologyMT48H32M16LFBF-75ITMicron TechnologyMT48H32M16LFBF-75IT:BMicron TechnologyMT48H4M32LFB5-75:KMicron Technology Inc.IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGAMT48H32M16LFCJ-75 ITMicron TechnologyMT48H32M32LFB5-6 IT:BMicron TechnologyMT48H32M16LFCJ-75IT:AMicron TechnologyMT48H4M16LFB4-8Micron Technology Inc.IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGAMT48H4M16LFB4-10TRMicron TechnologyMT48H4M16LFB4-8:HMicron Technology Inc.IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGAMT48H4M16LFF4-8Micron Technology Inc.IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H32M16LFCJ-75:AMICMT48H4M16LFB4-75 IT:HMicron Technology Inc.IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGAMT48H32M16LFBF-75B IT:BMicron TechnologyMT48H4M16LFB4-75IT:HMicron TechnologyMT48H8M16LFB4-10Micron Technology Inc.IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGAMT48H4M16LFB4-8IT:HMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที