ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT49H32M18FM-33:B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT49H32M18FM-33:B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT49H32M18FM-33:B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | DRAM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 144-µBGA (18.5x11) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 144-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 576Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32M x 18 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 300 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT49H32M18 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 20 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT49H32M18FM-33:B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT49H32M18FM-33:B | MT49H32M18FM-25:B | MT49H32M18CBM-25 IT:B | MT49H32M9FM-25:B |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT49H32M18 | MT49H32M18 | MT49H32M18 | MT49H32M9 |
| ความถี่นาฬิกา | 300 MHz | 400 MHz | 400 MHz | 400 MHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 144-TFBGA | 144-TFBGA | 144-TFBGA | 144-TFBGA |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V | 1.7V ~ 1.9V |
| เวลาในการเข้าถึง | 20 ns | 20 ns | 20 ns | 20 ns |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Bulk | Tray | Tray |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 144-µBGA (18.5x11) | 144-µBGA (18.5x11) | 144-µBGA (18.5x11) | 144-µBGA (18.5x11) |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 576Mbit | 576Mbit | 576Mbit | 288Mbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32M x 18 | 32M x 18 | 32M x 18 | 32M x 9 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT49H32M18FM-33:B PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT49H32M18FM-33:B - Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:AMicron TechnologyMT49H32M18FM-25:BMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGAMT49H32M18HU-25E:AMicron TechnologyMT49H32M18FM-25:AMICR011MT49H32M18CFM-25E:AMicron TechnologyMT49H32M18CBM-25 IT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGAMT49H32M18CFM-18:AMicron TechnologyMT49H32M9FM-25:BMicron Technology Inc.IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGAMT49H32M18FM-25AMICR011MT49H32M9FM-33Micron TechnologyMT49H32M9FM-2.5Micron TechnologyMT49H32M18FM-25E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGAMT49H32M9BM-25:BMicron Technology Inc.IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGAMT49H32M18SJ-18:BTRMicron TechnologyMT49H32M18FM-33BMicron Technology
MT49H32M18CSJ-18:BMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGAMT49H32M18FM-25EMicron TechnologyMT49H32M18SJ-25E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที