ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT52L256M64D2PP-107 WT:B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT52L256M64D2PP-107 WT:B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT52L256M64D2PP-107 WT:B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.2V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 253-VFBGA (11x11.5) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 253-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 64 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 933 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT52L256 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-107 WT:B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT52L256M64D2PP-107 WT:B | MT52L256M64D2GN-107 WT:B | MT52L512M32D2PF-093 WT:B | MT52L256M64D2PD-107 WT:B |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ความถี่นาฬิกา | 933 MHz | 933 MHz | 1067 MHz | 933 MHz |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 253-VFBGA | 256-WFBGA | 178-VFBGA | 216-WFBGA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 253-VFBGA (11x11.5) | 256-FBGA (14x14) | 178-FBGA (11.5x11) | 216-FBGA (15x15) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT52L256 | MT52L256 | MT52L512 | MT52L256 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Gbit | 16Gbit | 16Gbit | 16Gbit |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.2V | 1.2V | 1.2V | 1.2V |
| ชุด | - | - | - | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 64 | 256M x 64 | 512M x 32 | 256M x 64 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT52L256M64D2PP-107 WT:B PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT52L256M64D2PP-107 WT:B - Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 WTBMicron TechnologyMT52L256M64D2GN-107WT:BMicron TechnologyMT52L256M64D4LR-125WT:AMicron TechnologyMT52L512M32D2PF-093 WTBMicron TechnologyMT52L256M64D2LZ-107Micron TechnologyMT52L256M64D2GN-107 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 933MHZ 256FBGAMT52L256M64D2GN-107 WTBMicron TechnologyMT52L256M64D2PD-107WT:BMicron TechnologyMT52L512M32D2PF-107Micron TechnologyMT52L256M64D2PD-107Micron TechnologyMT52L512M32D2PF-093 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 1067MHZ 178FBGAMT52L256M64D4LR-125 WT:AMicron TechnologyMT52L512M16D1PF-093Micron TechnologyMT52L512M32D2PF-093WT:BMicron TechnologyMT52L256M64D2PP-107WT:BMicron TechnologyMT52L256M64D2PD-107 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGAMT52L256M64D2PD-107 WTBMicron TechnologyMT52L256M64D2PP-107 WTBMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที