ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53B128M32D1DS-062 AAT:A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 32 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.6 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53B128 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AAT:A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53B128M32D1DS-062 AAT:A | MT53B128M32D1DS-062 AIT:A | MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C | MT53B256M32D1NP-053 WT:C |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128M x 32 | 128M x 32 | 1G x 32 | 256M x 32 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q100 | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | 200-WFBGA | 200-VFBGA | 200-WFBGA |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | 1.1V | 1.1V | 1.1V |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ความถี่นาฬิกา | 1.6 GHz | 1.6 GHz | 1.6 GHz | 1.866 GHz |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53B128 | MT53B128 | MT53B1024 | MT53B256 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| ขนาดหน่วยความจำ | 4Gbit | 4Gbit | 32Gbit | 8Gbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-VFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) | -40°C ~ 95°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53B128M32D1DS-062 AAT:A PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53B128M32D1DS-062 AAT:A - Micron Technology Inc.
MT5396HUHJ/BMEDIATEKMT5396BUFJ/BMEDIATEK
MT53B128M32D1NP-062AATESAMicron TechnologyMT5396NSTJ/BMEDIATEKMT5396EUFJMEDNTEKMT53B256M32D1NP-053Micron TechnologyMT53B128M32D1DS-062 AIT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGAMT53B1024M32D4NQ-062 WT:CMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 1.6GHZ 200VFBGAMT5396BAFJMEDIATEKMT53B256M32D1NP-053 WT:CMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53B128M32D1NP-062 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGAMT5396JDNJ-BTSHMEDIATEMT5396CUFJMEDNTEKMT53B256M32D1DS-062 AIT:CMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGAMT53B128M32D1NP-062WT:AMicron TechnologyMT5396CAFJ/BMEDIATEKMT53B256M32D1NP-062 AAT:CMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGAMT5396BAFJ/BMEDIATEK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที