ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 95°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 32 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.866 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53D512 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | MT53D512M32D2DS-053 WT:D | MT53D512M32D2DS-053 AUT:D |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | 1.1V | 1.1V | 1.1V |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q100 | - | Automotive, AEC-Q100 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| องค์กรหน่วยความจำ | 512M x 32 | 512M x 32 | 512M x 32 | 512M x 32 |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | 200-WFBGA | 200-WFBGA | 200-WFBGA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53D512 | MT53D512 | MT53D512 | MT53D512 |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) | 200-WFBGA (10x14.5) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความถี่นาฬิกา | 1.866 GHz | 2.133 GHz | 1.866 GHz | 1.866 GHz |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Gbit | 16Gbit | 16Gbit | 16Gbit |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 95°C (TC) | -40°C ~ 105°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -40°C ~ 125°C (TC) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53D512M32D2DS-053 AIT:D PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053WTMicronMT53D512M32D2DS-053WT:DMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-053AITDMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-046MicronMT53D512M32D2DS-046AAT:DMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-046 AAT:DMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMT53D512M32D2DS-046AATMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-053Micron TechnologyMT53D512M32D2DS-053 AITDMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-053 WT:DMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53D512M32D2DS-053 WTDMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-053AIT:DMicronMT53D512M32D2DS-053WTDMicron TechnologyMT53D512M16D2DS-053AAMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-053 AUT:DMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53D512M32D2DS-046 WTDMicron TechnologyMT53D512M32D2DS-046 WT:DMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGAMT53D512M16D1DS-046AAT:DMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที