Name: Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 WT:B
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT53E256M16D1DS-046 WT:B
Price: 8.014 USD
Availability: InStock

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ราคารวม
1+	$10.79	$10.79
10+	$9.926	$99.26
25+	$9.719	$242.98
40+	$9.686	$387.44
80+	$8.691	$695.28
230+	$8.428	$1,938.44
440+	$8.014	$3,526.16

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Micron Technology
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	-
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	1.1V
เทคโนโลยี	SDRAM - Mobile LPDDR4
ชุด	-
บรรจุุภัณฑ์	Tray
อุณหภูมิในการทำงาน	-30°C ~ 85°C (TC)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ประเภทหน่วยความจำ	Volatile
ขนาดหน่วยความจำ	4Gbit
องค์กรหน่วยความจำ	256M x 16
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	-
รูปแบบหน่วยความจำ	DRAM
ความถี่นาฬิกา	2.133 GHz
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MT53E256

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	MT53E256M16D1DS-046 WT:B	MT53E1G32D4NQ-046 WT:E	MT53E256M32D2DS-046 IT:B	MT53E1G32D2NP-053 RS WT:A
ผู้ผลิต	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
ชุด	-	-	-	-
บรรจุุภัณฑ์	Tray	Box	Tray	Bulk
องค์กรหน่วยความจำ	256M x 16	1G x 32	256M x 32	-
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	1.1V	1.1V	1.1V	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	MT53E256	MT53E1G32	MT53E256	-
ประเภทหน่วยความจำ	Volatile	Volatile	Volatile	-
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	-	-	-	-
เทคโนโลยี	SDRAM - Mobile LPDDR4	SDRAM - Mobile LPDDR4	SDRAM - Mobile LPDDR4	-
รูปแบบหน่วยความจำ	DRAM	DRAM	DRAM	-
ความถี่นาฬิกา	2.133 GHz	2.133 GHz	2.133 GHz	-
ขนาดหน่วยความจำ	4Gbit	32Gbit	8Gbit	-
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	-	-	-	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-30°C ~ 85°C (TC)	-30°C ~ 85°C (TC)	-40°C ~ 95°C (TC)	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

MT53E256M16D1DS-046 WT:B - Micron Technology Inc.

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

MT53E256M16D1DS-046 WT:B Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค