ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53E384M32D2DS-046 AAT:E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53E384M32D2DS-046 AAT:E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53E384M32D2DS-046 AAT:E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 12Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 384M x 32 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 2.133 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E384 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AAT:E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53E384M32D2DS-046 AAT:E | MT53E512M32D2FW-046 WT:D | MT53E384M32D2DS-053 WT:E | MT53E384M64D4NK-046 WT:E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| องค์กรหน่วยความจำ | 384M x 32 | - | 384M x 32 | 384M x 64 |
| ความถี่นาฬิกา | 2.133 GHz | - | 1.866 GHz | 2.133 GHz |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | - | DRAM | DRAM |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Box | Tray | Tray |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | - | 1.1V | 1.1V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-WFBGA | - | 200-WFBGA | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E384 | - | MT53E384 | MT53E384 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) | - | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 12Gbit | - | 12Gbit | 24Gbit |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | - | Volatile | Volatile |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53E384M32D2DS-046 AAT:E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53E384M32D2DS-046 AAT:E - Micron Technology Inc.
MT53E2G32D4NQ-046 WTAMicron TechnologyMT53E2G32D4NQ-046WTAMicron TechnologyMT53E384M32D2DS-053AIT:EMicron TechnologyMT53E512M32D2FW-046 WT:DMicron Technology Inc.LPDDR4 16G 512MX32 FBGAMT53E384M32D2DS-053 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGAMT53E384M32D2DS-053 AITEMicron TechnologyMT53E256M32D2DS-053AAT:BMicronMT53E384M32D2DS-053AITEMicron TechnologyMT53E256M32D2FW-046 AIT:BTRMicron TechnologyMT53E256M32D2DS-053WTBMicron TechnologyMT53E384M64D4NK-046 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ FBGA QDPMT53E2G32D8QD-046 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGA
MT53E2G32D4NQ-046 WT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 200VFBGAMT53E384M64D4NK-046 WTEMicron TechnologyMT53E2G32D4DT-046 AAT:AMicron Technology Inc.IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ FBGAMT53E512M32D1NP-046 WT:BMicron Technology Inc.IC MEMORY DRAM 16G 512MX32 FBGAMT53E256M32D2DS-053WT:BMicron TechnologyMT53E384M32D2DS-053 AATEMicron Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที