ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT53E768M32D4DT-053 AAT:E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-VFBGA (10x14.5) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 24Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 768M x 32 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.866 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E768 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT53E768M32D4DT-053 AAT:E | MT53E768M32D4DT-053 WT:E | MT53E512M64D4NW-046 WT:E | MT53E512M32D2NP-053 WT:E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT53E768 | MT53E768 | MT53E512 | MT53E512 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 768M x 32 | 768M x 32 | 512M x 64 | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| ความถี่นาฬิกา | 1.866 GHz | 1.866 GHz | 2.133 GHz | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Box | Tray |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 24Gbit | 24Gbit | 32Gbit | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 200-VFBGA | 200-VFBGA | 432-VFBGA | 200-WFBGA |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q100 | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.1V | 1.1V | 1.1V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 200-VFBGA (10x14.5) | 200-VFBGA (10x14.5) | 432-VFBGA (15x15) | 200-WFBGA (10x14.5) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT53E768M32D4DT-053 AAT:E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT53E768M32D4DT-053 AAT:E - Micron Technology Inc.
MT53E768M32D4DT-053 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGAMT53E512M64D4NW-046 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGAMT53E512M32D2NP-053 WT:EMicron Technology Inc.IC MEMORY DRAM LPDDR4
MT53E768M32D4DT-046 WTEMicron TechnologyMT53E768M32D4DT-053 AIT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
MT5502AADJ/BMTKMT5502AADJMEDIATEKMT5505ALMI/BMTKMT53E512M64D4NW-053 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGAMT53E768M32D4DT-053WT:EMicron TechnologyMT5505AKDIMT53E768M32D4DT-046 AITEMicron TechnologyMT53E512M64D4NW-046 IT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGAMT53E768M32D4DT-046 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGAMT53E768M32D4DT-046 AIT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGAMT53E512M64D4NW-046Micron TechnologyMT53E768M32D4DT-053 WTEMicron TechnologyMT5501ESNUMTK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที