ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NAND256W3A2BN6E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - NAND256W3A2BN6E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - NAND256W3A2BN6E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 50ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NAND256 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 50 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. NAND256W3A2BN6E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NAND256W3A2BN6E | NAND256W3A2BN6F | NAND256W3A0AN6 | NAND256W3A2BZA6E |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Micron Technology Inc. |
| เทคโนโลยี | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND | FLASH - NAND |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tape & Reel (TR) | Tray | Tray |
| องค์กรหน่วยความจำ | 32M x 8 | 32M x 8 | 32M x 8 | 32M x 8 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NAND256 | NAND256 | NAND256 | NAND256 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 48-TFSOP (0.724', 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 55-TFBGA |
| เวลาในการเข้าถึง | 50 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 48-TSOP | 48-TSOP | 48-TSOP | 55-VFBGA (8x10) |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| ขนาดหน่วยความจำ | 256Mbit | 256Mbit | 256Mbit | 256Mbit |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 50ns | 50ns | 50ns | 50ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล NAND256W3A2BN6E PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ NAND256W3A2BN6E - Micron Technology Inc.
NAND256W3A0RN6ESTMicroelectronicsNAND32GAH0PZA5STMicroelectronicsNAND256W3A2BN6STMicroelectronicsNAND256W3A2BN6E/FSTMicroelectronicsNAND256W3A2BN6FSTMicroelectronicsIC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOPNAND256W3A0AN6STMicroelectronicsIC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOPNAND256W3A2AN6STMicroelectronicsNAND256W3A2BNXMicron TechnologyNAND256W3A2AZA6STMicroelectronicsNAND256W3A2AZA6ESTMicroelectronicsNAND256W3A2BZA6FMicron TechnologyNAND256W3M4BZB5ESTMicroelectronicsNAND256W3A2BZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGANAND256R3A2BZA6STMicroelectronicsNAND256W3A2BZA6STMicroelectronicsNAND256W3A2BNXEMicron Technology Inc.IC FLASH 256MBIT PAR 48TSOP INAND256W3A2BSTMicroelectronicsNAND256R3A2BZA6EMicron Technology Inc.IC FLASH 256MBIT PAR 55VFBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที