ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N6800
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - 2N6800 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - 2N6800
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.75 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation 2N6800
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N6800 | 2N6796U | 2N6798 | 2N6788 |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | 800mW (Ta), 25W (Tc) | 800mW (Tc) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 5.75 nC @ 10 V | 6.34 nC @ 10 V | 5.29 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-39 | 18-ULCC (9.14x7.49) | TO-39 | TO-39 |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2A, 10V | 180mOhm @ 5A, 10V | 400mOhm @ 3.5A, 10V | 300mOhm @ 3.5A, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250mA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-205AF Metal Can | 18-CLCC | TO-205AF Metal Can | TO-205AF Metal Can |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | 100 V | 200 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) | 8A (Tc) | 5.5A (Tc) | 6A (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N6800 PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ 2N6800 - Microsemi Corporation
2N6788CDBNSILICONIX
2N681ASolid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N682ASolid State Inc.TO 48 25 AMP SCR
2N681Central Semiconductor CorpSCR 25V 25A TO482N681ACentral Semiconductor CorpSCR 25V 25A TO482N682Central Semiconductor CorpSCR 50V 25A TO482N6786UIR2N6788JANTXIR2N682Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N682ACentral Semiconductor CorpSCR 50V 25A TO482N6796UMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC2N6798Microsemi CorporationMOSFET N-CH 200V 5.5A TO392N6788Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 6A TO392N6796Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 8A TO392N6796UJANTXIR2N681Solid State Inc.TO 48 25 AMP SCR2N6804Microsemi CorporationMOSFET P-CH 100V 11A TO204AA2N6794IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที