ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N7236U
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - 2N7236U คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - 2N7236U
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-267AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 4W (Ta), 125W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-267AB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation 2N7236U
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N7236U | 2N7224 | 2N7236 | 2N7224U |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 18A (Tc) | 34A (Tc) | 18A (Tc) | 34A (Tc) |
| ประเภท FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 4W (Ta), 125W (Tc) | 4W (Ta), 150W (Tc) | 4W (Ta), 125W (Tc) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-267AB | TO-254AA | TO-254AA | TO-267AB |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | 125 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 125 nC @ 10 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11A, 10V | 70mOhm @ 21A, 10V | 200mOhm @ 11A, 10V | 81mOhm @ 34A, 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-267AB | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | TO-267AB |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N7236U PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ 2N7236U - Microsemi Corporation
2N7550UZIR2N7002ZL-AE2-RVBSEMI2N7224Microsemi CorporationMOSFET N-CH 100V 34A TO254AA2N7236Microsemi CorporationMOSFET P-CH 100V 18A TO254AA2N720AIASMOT2N7225JANTXVIR2N7225JANTXIR2N70G-TA3-TVBSEMI
2N720AMicrochip TechnologyTRANS NPN 80V 0.5A TO18
2N700T-7-GDiodes Incorporated
2N7004Silicon Power2N7225T-JQYIR2N7224UMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 34A TO267AB2N718AMicrochip TechnologyTRANS NPN 30V 0.5A TO18
2N720ASTMicroelectronicsTRANS NPN 80V 0.5A TO182N7002_R1_00001PANJIT2N7219IR
2N7008-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที