ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT10035B2LLG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT10035B2LLG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT10035B2LLG
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 2.5mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | T-MAX™ [B2] | |
ชุด | POWER MOS 7® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 14A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 690W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5185 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 186 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 28A (Tc) | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT10035 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT10035B2LLG
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT10035B2LLG | APT10026JFLL | APT10035JFLL | APT10045JFLL |
ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
ชุด | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 186 nC @ 10 V | 267 nC @ 10 V | 186 nC @ 10 V | 154 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 5185 pF @ 25 V | 7114 pF @ 25 V | 5185 pF @ 25 V | 4350 pF @ 25 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 690W (Tc) | - | 520W (Tc) | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | - | - | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 2.5mA | 5V @ 5mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT10035 | APT10026 | APT10035 | APT10045 |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | T-MAX™ [B2] | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 14A, 10V | 260mOhm @ 15A, 10V | 370mOhm @ 14A, 10V | 460mOhm @ 11.5A, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 28A (Tc) | 30A (Tc) | 25A (Tc) | 21A (Tc) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT10035B2LLG PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT10035B2LLG - Microsemi Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译