ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT15GP90BG
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT15GP90BG คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT15GP90BG
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 900 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.9V @ 15V, 15A | |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 9ns/33ns | |
| การสลับพลังงาน | 200µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | |
| ชุด | POWER MOS 7® | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | PT | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 60 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 60 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 43 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT15GP90 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT15GP90BG
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT15GP90BG | APT15GT120BRG | APT15GT60BRDQ1G | APT15GT120BRDQ1G |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 250 W | 250 W | 184 W | 250 W |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 60 A | 45 A | 45 A | 45 A |
| ชุด | POWER MOS 7® | Thunderbolt IGBT® | Thunderbolt IGBT® | Thunderbolt IGBT® |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 43 A | 36 A | 42 A | 36 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT15GP90 | APT15GT120 | APT15GT60 | APT15GT120 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247 [B] | TO-247 [B] |
| การสลับพลังงาน | 200µJ (off) | 585µJ (on), 260µJ (off) | 150µJ (on), 215µJ (off) | 585µJ (on), 260µJ (off) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 900 V | 1200 V | 600 V | 1200 V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 9ns/33ns | 10ns/85ns | 6ns/105ns | 10ns/85ns |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ทดสอบสภาพ | 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V | 800V, 15A, 5Ohm, 15V | 400V, 15A, 10Ohm, 15V | 800V, 15A, 5Ohm, 15V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 60 nC | 105 nC | 75 nC | 105 nC |
| ประเภท IGBT | PT | NPT | NPT | NPT |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 3.9V @ 15V, 15A | 3.6V @ 15V, 15A | 2.5V @ 15V, 15A | 3.6V @ 15V, 15A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT15GP90BG PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT15GP90BG - Microsemi Corporation
APT1608-CC24KingbrightAPT1608-CHP59KingbrightAPT15GT60KRAPTIGBT ModuleAPT15GT120BRDQAPTIGBT ModuleAPT15GT120BRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 36A 250W TO247APT15GP60BDF1APTAPT15GT60BRDQ1GMicrochip TechnologyIGBT 600V 42A 184W TO247APT15DQ60KGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 15A TO220APT15GP90BDF1APTAPT15GP60BDQ1APTAPT15GP60SAPTIGBT ModuleAPT15S20BCTAPTIGBT ModuleAPT15GP60KAPTIGBT ModuleAPT1608-CHP89KingbrightAPT1608-CHP66KingbrightAPT15DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 15A TO247APT15GT120BRDQ1GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 36A 250W TO247APT15GP90BDQ1GMicrochip TechnologyIGBT 900V 43A 250W TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที