ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT20M19JVR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT20M19JVR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT20M19JVR
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microsemi | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
ชุด | POWER MOS V® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 500mA, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 11640 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 495 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 112A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT20M19JVR
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT20M19JVR | APT20M20JFLL | APT20M22JVRU2 | APT20M11JVR |
ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 11640 pF @ 25 V | 6850 pF @ 25 V | 8500 pF @ 25 V | 21600 pF @ 25 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 112A (Tc) | 104A (Tc) | 97A (Tc) | 175A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 5mA |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 500mA, 10V | 20mOhm @ 52A, 10V | 22mOhm @ 48.5A, 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
ชุด | POWER MOS V® | POWER MOS V® | - | POWER MOS V® |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | SOT-227 | ISOTOP® |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | - | ±30V | ±30V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 495 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 500W (Tc) | - | 450W (Tc) | 700W (Tc) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT20M19JVR PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT20M19JVR - Microsemi Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที