ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT2X61DC60J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT2X61DC60J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT2X61DC60J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.8 V @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.2 mA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 60A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT2X61 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT2X61DC60J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT2X61DC60J | APT2X61D20J | APT2X61D120J | APT2X61DQ120J |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.2 mA @ 600 V | 250 µA @ 200 V | 250 µA @ 1200 V | 100 µA @ 1200 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 0 ns | 31 ns | 400 ns | 265 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ความเร็ว | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 200 V | 1200 V | 1200 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | APT2X61 | APT2X61 | APT2X61 | APT2X61 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 60A | 60A | 53A | 60A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.8 V @ 60 A | 1.3 V @ 60 A | 2.5 V @ 60 A | 3.1 V @ 60 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 2 Independent | 2 Independent | 2 Independent | 2 Independent |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT2X61DC60J PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT2X61DC60J - Microsemi Corporation
APT2X61S120JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61D20JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 200V 60A ISOTOPAPT2X61D120JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1.2KV 53A ISOTOPAPT2X61DQ120JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP
APT2X61S20JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 200V 75A ISOTOPAPT2X61D90JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61D60JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 600V 60A ISOTOPAPT2X61S60JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61D40JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 400V 60A ISOTOPAPT2X61DQ100JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1KV 60A ISOTOP
APT2X61D50JAPTIGBT ModuleAPT2X61DC120JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 1.2KV 60A SOT227APT2X61S100JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61D30JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 300V 60A ISOTOPAPT2X61D80JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X6ID120JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61S40JMicrosemiIGBT ModuleAPT2X61DQ60JMicrochip TechnologyDIODE MODULE 600V 60A ISOTOP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที