ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APT75GN120J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APT75GN120J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APT75GN120J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 75A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 379 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.8 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 124 A | |
| องค์ประกอบ | Single |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APT75GN120J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APT75GN120J | APT75GP120J | APT75GN120JDQ3 | APT75GN60BG |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 100 µA | 1 mA | 200 µA | - |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | PT | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 124 A | 128 A | 124 A | 155 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| องค์ประกอบ | Single | Single | Single | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | ISOTOP® | ISOTOP® | ISOTOP® | TO-247 [B] |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | ISOTOP | ISOTOP | ISOTOP | TO-247-3 |
| ชุด | - | POWER MOS 7® | - | - |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | - |
| กทช Thermistor | No | No | No | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 379 W | 543 W | 379 W | 536 W |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 75A | 3.9V @ 15V, 75A | 2.1V @ 15V, 75A | 1.85V @ 15V, 75A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 600 V |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 4.8 nF @ 25 V | 7.04 nF @ 25 V | 4.8 nF @ 25 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APT75GN120J PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APT75GN120J - Microsemi Corporation
APT75GN60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 155A 536W TO247
APT75DL120HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.2KV 75A SOT227APT75F50B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 500V 75A T-MAXAPT75GN120B2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 200A 833W TMAX
APT70SM70SMicrosemi CorporationSICFET N-CH 700V 65A D3PAK
APT75GF120JDF3MicrosemiIGBT ModuleAPT75GN60LDQ3GMicrochip TechnologyIGBT 600V 155A 536W TO264APT75DF170HJMicrochip TechnologyBRIDGE RECT 1P 1.7KV 75A SOT227APT75DQ100BMicrosemiAPT75GP120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
APT75GP120B2QAPTAPT75GP120JDF3APTIGBT ModuleAPT75DQ120BGMicrochip TechnologyDIODE GP 1.2KV 75A TO247APT75GN120JDQ3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOPAPT75GN120LGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 200A 833W TO264APT75DQ60BGMicrochip TechnologyDIODE GP 600V 75A TO247APT75GN60LDQ3APTIGBT ModuleAPT75GP120B2MicrosemiIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที