ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGF250DA60D3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGF250DA60D3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGF250DA60D3G
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Microsemi | |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.45V @ 15V, 300A | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D3 | |
ชุด | - | |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1250 W | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D-3 Module | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
อุณหภูมิในการทำงาน | - |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
กทช Thermistor | No | |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 13 nF @ 25 V | |
อินพุต | Standard | |
ประเภท IGBT | NPT | |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 400 A | |
องค์ประกอบ | Single |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGF250DA60D3G
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGF250DA60D3G | APTGF165DA60D1G | APTGF300SK120G | APTGF300A120G |
ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology |
เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 1250 W | 730 W | 1780 W | 1780 W |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 500 µA | 500 µA | 500 µA | 500 µA |
ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D-3 Module | D1 | SP6 | SP6 |
อุณหภูมิในการทำงาน | - | - | - | - |
อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
ชุด | - | - | - | - |
องค์ประกอบ | Single | Single | Single | Half Bridge |
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.45V @ 15V, 300A | 2.5V @ 15V, 200A | 3.9V @ 15V, 300A | 3.9V @ 15V, 300A |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D3 | D1 | SP6 | SP6 |
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 13 nF @ 25 V | 9 nF @ 25 V | 21 nF @ 25 V | 21 nF @ 25 V |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1200 V | 1200 V |
กทช Thermistor | No | No | No | No |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 400 A | 230 A | 400 A | 400 A |
ประเภท IGBT | NPT | NPT | NPT | NPT |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGF250DA60D3G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGF250DA60D3G - Microsemi Corporation
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที