ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี APTGT100DA120D1G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microsemi Corporation - APTGT100DA120D1G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microsemi Corporation - APTGT100DA120D1G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 100A | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 520 W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| กทช Thermistor | No | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 7 nF @ 25 V | |
| อินพุต | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 3 mA | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150 A | |
| องค์ประกอบ | Single |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microsemi Corporation APTGT100DA120D1G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | APTGT100DA120D1G | APTGT100A120D1G | APTGT150A170D1G | APTGT150TDU60PG |
| ผู้ผลิต | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| ชุด | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 520 W | 520 W | 780 W | 480 W |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 150 A | 150 A | 280 A | 225 A |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 1200 V | 1200 V | 1700 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D1 | D1 | D1 | SP6-P |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | D1 | D1 | D1 | SP6 |
| กทช Thermistor | No | No | No | No |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 100A | 2.1V @ 15V, 100A | 2.4V @ 15V, 150A | 1.9V @ 15V, 150A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด) | 3 mA | 3 mA | 4 mA | 250 µA |
| องค์ประกอบ | Single | Half Bridge | Half Bridge | Triple, Dual - Common Source |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE | 7 nF @ 25 V | 7 nF @ 25 V | 13 nF @ 25 V | 9.2 nF @ 25 V |
| อินพุต | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล APTGT100DA120D1G PDF และเอกสาร Microsemi Corporation สำหรับ APTGT100DA120D1G - Microsemi Corporation
APTGT150X120E3GIGBT ModuleAPTGS10X120RTP2GAPTIGBT ModuleAPTGLQ80HR120T3GMicrosemiAPTGS15X120RTP2GAPTIGBT ModuleAPTGT100A120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 150A 520W D1APTGT150A120D3GAPTIGBT ModuleAPTGT150A170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 280A 780W D1APTGT150TDU60PGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 225A 480W SP6PAPTGLQ40HR120T3GMicrosemiIGBT ModuleAPTGT100SK170D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1700V 200A 695W D1APTGS25X120RTP2GAPTIGBT ModuleAPTGT150SK120D1GMicrosemi CorporationIGBT MODULE 1200V 220A 700W D1APTGT150DU120TGMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4APTGS25X120BTP2GAPTIGBT ModuleAPTGLQ200HR120CGMicrosemiIGBT ModuleAPTGT100TL60T3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 600V 150A 340W SP3APTGS25X120BTP2APTIGBT ModuleAPTGLQ80HR120CT3GMicrochip TechnologyIGBT MODULE 1200V 150A 500W SP3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที