ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAS116GW
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Nexperia USA Inc. - BAS116GW คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Nexperia USA Inc. - BAS116GW
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Nexperia | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 nA @ 75 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 215mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Nexperia USA Inc. BAS116GW
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAS116GW | BAS116 | BAS116-7-F | BAS116 |
| ผู้ผลิต | Nexperia USA Inc. | Yangjie Technology | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 nA @ 75 V | 5 nA @ 75 V | 5 nA @ 75 V | 5 nA @ 75 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123 | SOT-23 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 215mA | 200mA | 215mA | 215mA |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 3 µs | 3 µs | 3 µs | 3 µs |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 75 V | 75 V | 85 V | 85 V |
BAS116Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23BAS116-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3BAS116Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3
BAS116LP3-7Diodes IncorporatedDIODE GP 85V 215MA X3-DFN0603-2
BAS116 E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BAS116TT1GonsemiDIODE GP 75V 200MA SC75 SOT416BAS116Q-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA SOT23-3
BAS116+215Freescale / NXP Semiconductors
BAS116LPH4-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN
BAS116T-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 85V 215MA SOT523
BAS116HNexperia USA Inc.NOW NEXPERIA BAS116H - RECTIFIERBAS116TFreescale / NXP Semiconductors
BAS116LT1GonsemiDIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3BAS116 JVCJ
BAS116E6327HTSA1Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23BAS116E6327Infineon TechnologiesRECTIFIER DIODE, 0.25ABAS116GWXNexperia USA Inc.DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
BAS116Taiwan Semiconductor CorporationSOT-23, 75V, 0.2A, SWITCHING DIO| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที