ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BAV99QAZ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Nexperia USA Inc. - BAV99QAZ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Nexperia USA Inc. - BAV99QAZ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Nexperia | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DFN1010D-3 | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, BAV99 | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-XDFN Exposed Pad | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Series Connection | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 170mA (DC) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAV99 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Nexperia USA Inc. BAV99QAZ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BAV99QAZ | BAV99Q-7-F | BAV99LT3G | BAV99LT1G |
| ผู้ผลิต | Nexperia USA Inc. | Diodes Incorporated | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 nA @ 80 V | 2.5 µA @ 75 V | 2.5 µA @ 70 V | 2.5 µA @ 70 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 4 ns | 4 ns | 6 ns | 6 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | BAV99 | BAV99 | BAV99 | BAV99 |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | Automotive, AEC-Q101, BAV99 | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Series Connection | 1 Pair Series Connection | 1 Pair Series Connection | 1 Pair Series Connection |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 170mA (DC) | 300mA (DC) | 215mA (DC) | 215mA (DC) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 3-XDFN Exposed Pad | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 90 V | 75 V | 100 V | 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DFN1010D-3 | SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BAV99QAZ PDF และเอกสาร Nexperia USA Inc. สำหรับ BAV99QAZ - Nexperia USA Inc.
BAV99PTBAV99N3CYSTECHBAV99LT1A7CJ
BAV99SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BAV99S-R1PANJIT
BAV99S+115Freescale / NXP SemiconductorsBAV99Q-7-FDiodes IncorporatedSWITCHING DIODE SOT23BAV99S T/RPANJITBAV99S H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BAV99LT1G A7AMI Semiconductor/onsemiBAV99LT1 A7CJBAV99LTGAMI Semiconductor/onsemiBAV99LT3GonsemiDIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23BAV99LT1GonsemiDIODE ARRAY 100V 215MA SOT23-3
BAV99RFTaiwan SemiconductorBAV99LT1onsemiDIODE SWITCH SS DUAL 70V SOT23BAV99QCZNexperia USA Inc.BAV99QC/SOT8009/DFN1412D-3BAV99S E6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที