Name: Nexperia USA Inc. PSMN1R8-40YLC,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PSMN1R8-40YLC,115

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Nexperia
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1.95V @ 1mA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	LFPAK56, Power-SO8
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 25A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	272W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SC-100, SOT-669
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	6680 pF @ 20 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	96 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	100A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	PSMN1R8

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	PSMN1R8-40YLC,115	PSMN1R8-30MLHX	PSMN1R7-60BS,118	PSMN2R0-25YLDX
ผู้ผลิต	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	96 nC @ 10 V	58 nC @ 10 V	137 nC @ 10 V	34.1 nC @ 10 V
ชุด	-	-	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	100A (Tc)	150A (Ta)	120A (Tc)	100A (Tc)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 25A, 10V	2.1mOhm @ 25A, 10V	2mOhm @ 25A, 10V	2.09mOhm @ 25A, 10V
คุณสมบัติ FET	-	-	-	Schottky Diode (Body)
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	6680 pF @ 20 V	3125 pF @ 15 V	9997 pF @ 30 V	2485 pF @ 12 V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V	30 V	60 V	25 V
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SC-100, SOT-669	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	SC-100, SOT-669
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V	10V	4.5V, 10V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	LFPAK56, Power-SO8	LFPAK33	D2PAK	LFPAK56, Power-SO8
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	272W (Tc)	106W (Ta)	306W (Tc)	115W (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	PSMN1R8	PSMN1R8	PSMN1R7	PSMN2R0
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	±20V	±20V
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	1.95V @ 1mA	2.2V @ 1mA	4V @ 1mA	2.2V @ 1mA
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

PSMN1R8-40YLC,115 - Nexperia USA Inc.

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

PSMN1R8-40YLC,115 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค