ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RW1S0BAR681FET
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Ohmite - RW1S0BAR681FET คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Ohmite - RW1S0BAR681FET
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Ohmite | |
| ความอดทน | ±1% | |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | ±90ppm/°C | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 2515 | |
| ขนาด / มิติ | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) | |
| ชุด | RW | |
| โหมดแผง | 681 mOhms | |
| ความนิยม | - | |
| เพาเวอร์ (วัตต์) | 1W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2515 J-Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C | |
| จำนวนการยกเลิก | 2 | |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด) | 0.141" (3.58mm) | |
| คุณลักษณะเด่น | - | |
| อัตราความล้มเหลว | - | |
| ส่วนประกอบ | Wirewound |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Ohmite RW1S0BAR681FET
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RW1S0BAR681FET | RW1S0CKR010DET | RW1S0BAR075JET | RW1E014SN T2R |
| ผู้ผลิต | Ohmite | Ohmite | Ohmite | LAPIS Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 2515 | - | SMD J-Lead, Pedestal | - |
| เพาเวอร์ (วัตต์) | 1W | 1W | 1W | - |
| ชุด | RW | RW1S0CK | RW | - |
| ขนาด / มิติ | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) | 0.425" L x 0.244" W (10.80mm x 6.20mm) | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) | - |
| โหมดแผง | 681 mOhms | 10 mOhms | 75 mOhms | - |
| จำนวนการยกเลิก | 2 | 4 | 2 | - |
| อัตราความล้มเหลว | - | - | - | - |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ | ±90ppm/°C | ±50ppm/°C | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2515 J-Lead | 4324 J-Lead (4 Terminals) | 2512 J-Lead | - |
| คุณลักษณะเด่น | - | Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety | Current Sense | - |
| ความอดทน | ±1% | ±0.5% | ±5% | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | - |
| ส่วนประกอบ | Wirewound | Thick Film | Wirewound | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด) | 0.141" (3.58mm) | 0.091" (2.30mm) | 0.141" (3.58mm) | - |
| ความนิยม | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RW1S0BAR681FET PDF และเอกสาร Ohmite สำหรับ RW1S0BAR681FET - Ohmite
RW1E014SN T2RLAPIS TechnologyRW1E015RP T2RLAPIS TechnologyRW1C026ZPT2CRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMTRW1S0CKR010DETOhmiteRES 0.01 OHM 0.5% 1W 4324RW1C020UNFU7T2RLAPIS TechnologyRW1C025ZPLAPIS TechnologyRW1C020UN T2RLAPIS TechnologyRW1E014SNVBSEMIRW1C025ZPT2CRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMTRW1C025ZP T2RLAPIS TechnologyRW1E015RPVBSEMIRW1S0BAR075JETOhmiteRES 0.075 OHM 5% 1W J LEADRW1C025ZP T2CRLAPIS TechnologyRW1E015RPT2RRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6RW1E025RPLAPIS TechnologyRW1E025RP T2RLAPIS TechnologyRW1C020UNT2RRohm SemiconductorMOSFET N-CH 20V 2A 6WEMTRW1E025RPT2CRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที