ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES1D_R1_00001
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Panjit International Inc. - ES1D_R1_00001 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Panjit International Inc. - ES1D_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | PANJIT | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1D |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Panjit International Inc. ES1D_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES1D_R1_00001 | ES1DHE3_A/I | ES1DHE3_A/H | ES1DL RVG |
| ผู้ผลิต | Panjit International Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 950mV @ 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 200 V | 200V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-219AB |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5µA @ 200V |
| ชุด | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | Sub SMA |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES1D | ES1 | ES1 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 25 ns | 25 ns | 35ns |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES1D_R1_00001 PDF และเอกสาร Panjit International Inc. สำหรับ ES1D_R1_00001 - Panjit International Inc.
ES1G-01Taiwan SemiconductorES1FL R3Taiwan SemiconductorES1G R3Taiwan Semiconductor
ES1DVRFreescale / NXP Semiconductors
ES1DWG_R2_00001PANJITES1G T/RPANJITES1E T/RPANJITES1DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACES1DHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
ES1DHE3-A/1Electro-Films (EFI) / VishayES1D_R1_00101-PECPANJIT
ES1D_HFLITEON
ES1F_NLFairchild (onsemi)ES1DL RVGTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMAES1E-E3/61TVISHAY MASES1DHE3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACES1DHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACES1D_NLFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที