ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RS1M_R1_00001
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Panjit International Inc. - RS1M_R1_00001 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Panjit International Inc. - RS1M_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | PANJIT | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 500 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RS1M |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Panjit International Inc. RS1M_R1_00001
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RS1M_R1_00001 | RS1PG-M3/84A | RS1MFA | RS1MSWF-7 |
| ผู้ผลิต | Panjit International Inc. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Diodes Incorporated |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | 400 V | 1000 V | 1000 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz | 9pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 3pF @ 4V, 1MHz |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 500 ns | 150 ns | 500 ns | 500 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SMA (DO-214AC) | DO-220AA (SMP) | SOD-123FA | SOD-123F |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 800 mA | 1.3 V @ 1 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 800mA | 1A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | eSMP® | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RS1M | RS1P | RS1M | RS1M |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-220AA | SOD-123W | SOD-123F |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 1000 V | 1 µA @ 400 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RS1M_R1_00001 PDF และเอกสาร Panjit International Inc. สำหรับ RS1M_R1_00001 - Panjit International Inc.
RS1PDHM3 A/IElectro-Films (EFI) / Vishay
RS1MWG_R1_00001-PECPANJITRS1M_ONAMI Semiconductor/onsemiRS1PG-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 1A DO220AARS1MFAonsemiDIODE GP 1KV 800MA SOD123FARS1MWG_R1_00001PANJITRS1M_R1_00001-PECPANJITRS1M-HBHBRS1MW_R1_00001-PECPANJIT
RS1ML R2Taiwan SemiconductorRS1MSWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FRS1M-R1-00001PANJITRS1MWF-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FRS1MW_R1_10001PANJITRS1MSP1-7Diodes IncorporatedDIODE GP 1KV 1A POWERDI123
RS1MB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMBRS1PJHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 1A DO220AARS1MSWFQ-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123F| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที