ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RBK82840XX
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Powerex Inc. - RBK82840XX คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Powerex Inc. - RBK82840XX
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Powerex, Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.17 V @ 3000 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 µs |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AE | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 150 mA @ 2800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4000A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RBK82840 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Powerex Inc. RBK82840XX
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RBK82840XX | UF4003 | STPS1L30A | MUR4100ERL |
| ผู้ผลิต | Powerex Inc. | Taiwan Semiconductor Corporation | STMicroelectronics | onsemi |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 150 mA @ 2800 V | 5 µA @ 200 V | 200 µA @ 30 V | 25 µA @ 1000 V |
| ชุด | - | - | - | SWITCHMODE™ |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RBK82840 | UF400 | STPS1 | MUR41 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | DO-204AL (DO-41) | SMA (DO-214AC) | Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 2800 V | 200 V | 30 V | 1000 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-200AE | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-214AC, SMA | DO-201AA, DO-27, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.17 V @ 3000 A | 1 V @ 1 A | 395 mV @ 1 A | 1.85 V @ 4 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 µs | 50 ns | - | 100 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4000A | 1A | 1A | 4A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 17pF @ 4V, 1MHz | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RBK82840XX PDF และเอกสาร Powerex Inc. สำหรับ RBK82840XX - Powerex Inc.
UF4003Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALSTPS1L30ASTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA
RBK01P01GQT-0000Renesas Electronics CorporationMUR4100ERLonsemiDIODE GEN PURP 1KV 4A AXIAL
S50430TSMicrochip TechnologySTD RECTIFIERRBK01P07GQTRenesas Electronics CorporationBAT43XV2onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F
SK3200A-LTPMicro Commercial CoDIODE SCHOTTKY 200V 3A DO214ACRBK01P04GQT-0020Renesas Electronics Corporation
RBK82440XXPowerex Inc.DIODE GEN PURP 2.4KV 4000A1N3767Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIERRBK01P04GQT-0020#GCHRenesas Electronics America IncIC POWER MANAGEMENT
SBR10U200P5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 200V 10A POWERDI5RBK01P05GQTRenesas Electronics Corporation
SB2M-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA
BYWB29-200-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO263ABRBK84000APowerex, Inc.IGBT Module
RBK01P07GQT-0000#GCHCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที