ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFG75N05E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - RFG75N05E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - RFG75N05E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 75A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 240W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 400 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation RFG75N05E
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFG75N05E | RFG70N06 | RFG40N10 | RFG60P05E |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | onsemi | onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-247 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 240W (Tc) | 150W (Tc) | 160W (Tc) | 215W (Tc) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | 60 V | 100 V | 50 V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 400 nC @ 20 V | 156 nC @ 20 V | 300 nC @ 20 V | 450 nC @ 20 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 75A, 10V | 14mOhm @ 70A, 10V | 40mOhm @ 40A, 10V | 30mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 75A (Tc) | 70A (Tc) | 40A (Tc) | 60A (Tc) |
| ชุด | - | - | - | - |
RFGA2054RFMDRFG50N06VBsemiRFGA2044TR13RFMDRFG60P06HARRFG75N06HARRFG70N06onsemiMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3RFGA2054TR13RFMDRFG40N10onsemiMOSFET N-CH 100V 40A TO247-3RFGA2044TR7RFMDRFG60P05EonsemiMOSFET P-CH 50V 60A TO247-3RFGA0024TR13RFMD
RFG60N10Fairchild (onsemi)RFG75N10HAR
RFGC3J3TRSTMicroelectronicsRFG40N10LEHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFG40N10Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 40A TO247-3RFGA0024QORVORFG60P06EFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที