ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFP12N10L
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - RFP12N10L คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - RFP12N10L
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 12A, 5V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 900 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation RFP12N10L
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFP12N10L | RFP12N10L | RFP10P15 | RFP12N10L |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | onsemi |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | - | 4V @ 1mA | 2V @ 250µA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | - | TO-220 | TO-220-3 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ชุด | - | * | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±10V | - | ±20V | ±10V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V | - | 10V | 5V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 12A, 5V | - | 500mOhm @ 5A, 10V | 200mOhm @ 12A, 5V |
| ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 900 pF @ 25 V | - | 1700 pF @ 25 V | 900 pF @ 25 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | - | 150 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | - | 10A (Tc) | 12A (Tc) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | - | 75W (Tc) | 60W (Tc) |
RFP12P10 MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFP12N06Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP10P03LFairchild (onsemi)RFP12P10H1Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP10N15VBSEMIRFP10P15HIHARRISRFP12N10LFairchild Semiconductor12A, 100V, 0.2OHM, N-CHANNEL, MO
RFP100N50TWAnaren Wireless / TTM TechnologiesRFP10P15Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFP1109NSRFP12P10Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP12N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 12A TO220-3RFP14N05onsemiMOSFET N-CH 50V 14A TO220-3RFP14N05LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 50V 14A TO220-3RFP12N06RLEHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFP150-100RLRFPOWERRFP12N10L F12N10LFairchild (onsemi)RFP14N05LonsemiMOSFET N-CH 50V 14A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที