ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFP50N05
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - RFP50N05 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - RFP50N05
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250nA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 132W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 160 nC @ 20 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation RFP50N05
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFP50N05 | RFP45N06 | RFP50N06 | RFP40N10 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 50A, 10V | 28mOhm @ 45A, 10V | 22mOhm @ 50A, 10V | 40mOhm @ 40A, 10V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 50A (Tc) | 45A (Tc) | 50A (Tc) | 40A (Tc) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250nA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 50 V | 60 V | 60 V | 100 V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 160 nC @ 20 V | 150 nC @ 20 V | 150 nC @ 20 V | 300 nC @ 20 V |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 132W (Tc) | 131W (Tc) | 131W (Tc) | 160W (Tc) |
RFP45N06onsemiMOSFET N-CH 60V 45A TO220-3RFP50N06Harris CorporationMOSFET N-CH 60V 50A TO220-3RFP40N10onsemiMOSFET N-CH 100V 40A TO220-3RFP50N05LonsemiMOSFET N-CH 50V 50A TO220-3
RFP4N05LFairchild Semiconductor4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFERFP45N06 MOSFairchild (onsemi)RFP50N06onsemiMOSFET N-CH 60V 50A TO220-3RFP60N06HRFP60P03 MOSFairchild (onsemi)RFP4N05LS2515RFP50N06 MOSFairchild (onsemi)RFP6P10Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFP45N06Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 45A TO220-3RFP4N100onsemiMOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3RFP4N06LVBSEMIRFP60P03Fairchild (onsemi)RFP60P06Fairchild (onsemi)
RFP47N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที