ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2N7002KA
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rectron USA - 2N7002KA คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rectron USA - 2N7002KA
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Rectron USA | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 225mW (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 115mA (Ta) | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rectron USA 2N7002KA
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2N7002KA | 2N7002KC | 2N7002K-T1-E3 | 2N7002K-T1-GE3 |
| ผู้ผลิต | Rectron USA | Yangjie Technology | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 115mA (Ta) | - | 300mA (Ta) | 300mA (Ta) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 50 pF @ 25 V | - | 30 pF @ 25 V | 30 pF @ 25 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | - | 60 V | 60 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V | - | 2Ohm @ 500mA, 10V | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23 | - | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| ชุด | - | - | TrenchFET® | TrenchFET® |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 250µA | - | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 225mW (Ta) | - | 350mW (Ta) | 350mW (Ta) |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 2N7002KA PDF และเอกสาร Rectron USA สำหรับ 2N7002KA - Rectron USA
2N7002K-T1Electro-Films (EFI) / Vishay2N7002K/K72PANJIT2N7002KDW T/RPANJIT2N7002KCYangjie TechnologySOT-23 N 60V 0.3A Transistors F2N7002KC-F2-0000HFYANGJIE2N7002K-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay2N7002K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-32N7002K-RTK/PKEC2N7002KA-RTK/H/PKEC2N7002K-TI-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay2N7002KDWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdN-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
2N7002K2DWSamsung Semiconductor2N7002KA-RTK/PKEC2N7002K/7002KPANJIT2N7002KA-RTK/HSKEC2N7002KA-RTK/HKEC2N7002KBVBSEMI2N7002K-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 300MA TO236| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที