ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BZD27C8V2P
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rectron USA - BZD27C8V2P คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rectron USA - BZD27C8V2P
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Rectron USA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 8.2 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | - | |
| ความอดทน | ±6% | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 1 Ohms | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 3 V |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rectron USA BZD27C8V2P
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | BZD27C8V2P | BZD27C75P-E3-08 | BZD27C8V2P-HE3-08 | BZD27C75P-HE3-08 |
| ผู้ผลิต | Rectron USA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOD-123FL | DO-219AB (SMF) | DO-219AB (SMF) | DO-219AB (SMF) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 3 V | 1 µA @ 56 V | 10 µA @ 3 V | 1 µA @ 56 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SOD-123F | DO-219AB | DO-219AB | DO-219AB |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) | 8.2 V | 75 V | 8.2 V | 75 V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 800 mW | 800 mW | 800 mW | 800 mW |
| ความอดทน | ±6% | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | - | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA | 1.2 V @ 200 mA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT) | 1 Ohms | 100 Ohms | 2 Ohms | 100 Ohms |
BZD27C75P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 75V 800MW DO219ABBZD27C8V2P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 800MW DO219ABBZD27C75P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 75V 800MW DO219ABBZD27C9V1P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 9.1V 800MW DO219ABBZD27C75P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 75V 800MW DO219ABBZD27C82P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 82V 800MW DO219AB
BZD27C8V2P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C82P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 82V 800MW DO219ABBZD27C9V1P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C7V5P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 800MW DO219ABBZD27C8V2P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 800MW DO219ABBZD27C8V2P-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 800MW DO219ABBZD27C91P-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 91V 800MW DO219ABBZD27C82P-GS08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C7V5P-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 7.5V 800MW DO219ABBZD27C7V5PRectron USADIODE ZENER 7.5V 800MW SOD-123FBZD27C8V2P-GE3-08Electro-Films (EFI) / VishayBZD27C8V2P T/RPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที