ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 2SJ358-T1-AZ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas - 2SJ358-T1-AZ คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas - 2SJ358-T1-AZ
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (สูงสุด) | +10V, -20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MP-2 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-243AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 10 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 23.9 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | P-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Renesas 2SJ358-T1-AZ
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 2SJ358-T1-AZ | 2SJ358C-T1-AZ | 2SJ356-T1-AZ | 2SJ360(TE12L,F) |
| ผู้ผลิต | Renesas | Renesas | Renesas Electronics America Inc | Toshiba Semiconductor and Storage |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-243AA | TO-243AA | - | TO-243AA |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | - | P-Channel |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V | 143mOhm @ 2A, 10V | - | 730mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (สูงสุด) | +10V, -20V | ±20V | - | ±20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 23.9 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | - | 6.5 nC @ 10 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | - | 2V @ 1mA |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 60 V | 60 V | - | 60 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | MP-2 | MP-2 | - | PW-MINI |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | - | 500mW (Ta) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 10 V | 666 pF @ 10 V | - | 155 pF @ 10 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) | 3.5A (Ta) | - | 1A (Ta) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | 4V, 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C | 150°C | - | 150°C (TJ) |
| ชุด | - | - | * | - |
2SJ357-T1BNEC2SJ358C-T1-AZRenesas2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE2SJ357-T1NEC
2SJ360(TE12LF)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ358NEC2SJ356-T1-AZRenesas Electronics America IncP-CHANNEL POWER MOSFET2SJ358-T1NEC2SJ357NEC2SJ361HITACHI2SJ356-T1NEC2SJ358-T1BNEC2SJ360TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ356-TI-AZRenesas Electronics Corporation2SJ360(TE12L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SJ360(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI2SJ363HITACHI2SJ356-T1-AYRenesas Electronics Corporation2SJ356-T1BNEC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที