ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 6116SA20SOG8
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas Electronics America Inc - 6116SA20SOG8 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas Electronics America Inc - 6116SA20SOG8
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics Corporation | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 20ns | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 24-SOIC | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2K x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 6116SA | |
| เวลาในการเข้าถึง | 20 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Renesas Electronics America Inc 6116SA20SOG8
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 6116SA20SOG8 | 6116LA35TDB | 6116SA35TP | 6119CL |
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | IDT, Integrated Device Technology Inc | Micrel / Microchip Technology |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 24-SOIC | 24-CDIP | 24-PDIP | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | - |
| เทคโนโลยี | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | SRAM | SRAM | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2K x 8 | 2K x 8 | 2K x 8 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 24-CDIP (0.300", 7.62mm) | 24-DIP (0.300", 7.62mm) | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 6116SA | 6116LA | 6116SA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -55°C ~ 125°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tray | Bulk | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 20ns | 35ns | 35ns | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | - |
| เวลาในการเข้าถึง | 20 ns | 35 ns | 35 ns | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 16Kbit | 16Kbit | 16Kbit | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 6116SA20SOG8 PDF และเอกสาร Renesas Electronics America Inc สำหรับ 6116SA20SOG8 - Renesas Electronics America Inc
6119CLMicrel / Microchip Technology
6116ALSP-12HITACHI
6119LIBIntersil (Renesas Electronics Corporation)61117-00016-PB
61117-1TE Connectivity AMP ConnectorsCONN SOCKET 14-20AWG CRIMP TIN6116ALSP-15HITACHI
6116640-1TE Connectivity AMP ConnectorsCONN MOD JACK 8P8C R/A SHIELDED6118HIBZIntersil (Renesas Electronics Corporation)6116LA35TDBRenesas Electronics America IncIC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP
6116202-1TE Connectivity AMP ConnectorsCONN MOD JACK 8P8C VERT SHIELDED
6116151-1TE Connectivity AMP ConnectorsCONN MOD JACK 8P8C R/A SHIELDED
6116173-4TE Connectivity AMP ConnectorsCONN MOD JACK 8P8C R/A SHIELDED
6118Pomona ElectronicsKIT LEAD FLUKE 860 SERIES61116FPXX
61116-1TE Connectivity AMP ConnectorsCONN PIN 18-24AWG CRIMP TIN
6116317-5TE Connectivity AMP ConnectorsCONN MOD JACK 8P8C R/A SHIELDED
61118-1TE Connectivity AMP ConnectorsCONN PIN 14-20AWG CRIMP TIN6116SA35TPIDT, Integrated Device Technology IncIC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที