ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HSL226KRF-E
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas Electronics America Inc - HSL226KRF-E คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas Electronics America Inc - HSL226KRF-E
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 380 mV @ 5 mA | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 25 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 2-EFP | |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 450 nA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50mA | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2.8pF @ 1V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Renesas Electronics America Inc HSL226KRF-E
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HSL226KRF-E | MR1130 | PDS1040L-13 | 1N4151TR |
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics America Inc | Solid State Inc. | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 125°C (Max) | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 150°C | 175°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 2-EFP | DO-4 | PowerDI™ 5 | DO-35 (DO-204AH) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 380 mV @ 5 mA | 1 V @ 12 A | 490 mV @ 10 A | 1 V @ 50 mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 25 V | 1000 V | 40 V | 75 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 450 nA @ 20 V | 500 µA @ 1000 V | 600 µA @ 40 V | 50 nA @ 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Standard | Schottky | Standard |
| ความเร็ว | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 2-SMD, Flat Lead | DO-203AA, DO-4, Stud | PowerDI™ 5 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 2.8pF @ 1V, 1MHz | - | - | 2pF @ 0V, 1MHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount | Through Hole |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 50mA | 12A | 10A | 150mA |
HSL226KRF-ESHITACHIMR1130Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4PDS1040L-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 10A POWERDI51N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
SD103AW-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD123
HSL278KRF-ERenesas Electronics America IncDIODE SCHOTTKY 30V 30MA 2EFP
1N4454onsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
STTH1R06RLSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 1A DO41
MUR480EonsemiDIODE GEN PURP 800V 4A AXIAL
2A07-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 2A DO15HSL276ARenesas Electronics Corporation
MBRM120LT3onsemiDIODE SCHOTTKY 1A 20V POWERMITE
MBRD10100SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 100V DPAKHSL226KRFRenesas Electronics Corporation
SFF504GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 5A ITO220AB
LL4150GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80
VSKE320-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 800V 320A MAGNAPAKHSL226-NKRF-ERenesas Electronics America IncSCHOTTKY BARRIER DIODE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที