Name: Renesas Electronics America Inc NP89N04PUK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: NP89N04PUK-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 5 (5 reviews)

ขนาด

ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NP89N04PUK-E1-AY
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas Electronics America Inc - NP89N04PUK-E1-AY คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas Electronics America Inc - NP89N04PUK-E1-AY

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด)	±20V
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-263
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.95mOhm @ 45A, 5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta), 147W (Tc)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	5850 pF @ 25 V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	102 nC @ 10 V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	90A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NP89N04

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

คุณลักษณะ	ลักษณะ
สถานภาพ RoHS
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
เข้าถึงสถานะ	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

NP89N04PUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

NP89N04PUK-E1-AY Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

NP89N04PUK-E1-AY

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	NP89N04PUK-E1-AY	NP88N04KUG-E1-AY	NP88N03KDG-E1-AZ	NP88N03KDG MOS
ผู้ผลิต	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics Corporation	NEC
Vgs (สูงสุด)	±20V	±20V	-	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	-	-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On)	10V	10V	-	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	NP89N04	-	-	-
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	90A (Tc)	88A (Tc)	-	-
ชุด	-	-	-	-
ประเภท FET	N-Channel	N-Channel	-	-
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	5850 pF @ 25 V	15000 pF @ 25 V	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	-	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	2.95mOhm @ 45A, 5V	2.9mOhm @ 44A, 10V	-	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	102 nC @ 10 V	250 nC @ 10 V	-	-
คุณสมบัติ FET	-	-	-	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	-	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-263	TO-263 (D²Pak)	-	-
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	40 V	40 V	-	-
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA	-	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	1.8W (Ta), 147W (Tc)	1.8W (Ta), 200W (Tc)	-	-
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	-
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)	175°C (TJ)	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการกลับ

NP89N04PUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

ขนาด

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

NP89N04PUK-E1-AY Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค

NP89N04PUK-E1-AY

ตะกร้าสินค้า (0 Items)

เปรียบเทียบรายการ (0 Items)

ข้อเสนอแนะ

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ