Name: Renesas Electronics America Inc R1LV1616RSD-5SI#B0
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: R1LV1616RSD-5SI#B0

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	55ns
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	2.7V ~ 3.6V
เทคโนโลยี	SRAM
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	52-TSOP II
ชุด	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	52-TFSOP (0.350', 8.89mm Width)
บรรจุุภัณฑ์	Tray
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ประเภทหน่วยความจำ	Volatile
ขนาดหน่วยความจำ	16Mbit
องค์กรหน่วยความจำ	2M x 8, 1M x 16
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	Parallel
รูปแบบหน่วยความจำ	SRAM
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	R1LV1616R
เวลาในการเข้าถึง	55 ns

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	R1LV1616RSD-5SI#B0	R1LV5256ESA-5SI#S0	R1LV1616RBG-7SI#B0	R1LV5256ESA-5SI#S1
ผู้ผลิต	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
รูปแบบหน่วยความจำ	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM
ขนาดหน่วยความจำ	16Mbit	256Kbit	16Mbit	256Kbit
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	R1LV1616R	R1LV5256	R1LV1616R	R1LV5256
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	Parallel	Parallel	Parallel	Parallel
องค์กรหน่วยความจำ	2M x 8, 1M x 16	32K x 8	1M x 16	32K x 8
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	52-TSOP II	28-TSOP I	48-TFBGA (7.5x8.5)	28-TSOP I
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	55ns	55ns	70ns	55ns
เทคโนโลยี	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	2.7V ~ 3.6V	2.7V ~ 3.6V	2.7V ~ 3.6V	2.7V ~ 3.6V
ชุด	-	-	-	-
เวลาในการเข้าถึง	55 ns	55 ns	70 ns	55 ns
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	52-TFSOP (0.350', 8.89mm Width)	28-TSSOP (0.465', 11.80mm Width)	48-TFBGA	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
บรรจุุภัณฑ์	Tray	Tape & Reel (TR)	Tray	Tape & Reel (TR)
ประเภทหน่วยความจำ	Volatile	Volatile	Volatile	Volatile

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

R1LV1616RSD-5SI#B0 - Renesas Electronics America Inc

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

R1LV1616RSD-5SI#B0 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค