ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี R1Q2A7236ABB-40IA0
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas - R1Q2A7236ABB-40IA0 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas - R1Q2A7236ABB-40IA0
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Renesas Electronics Corporation | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-LBGA (13x15) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 72Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2M x 36 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 250 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | R1Q2A7236 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 450 ps |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Renesas R1Q2A7236ABB-40IA0
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | R1Q2A7236ABB-40IA0 | R1QBA7236RBG-22RB0 | SST39VF1681-70-4C-B3KE | R1Q3A7236ABB-33IB0 |
| ผู้ผลิต | Renesas | Renesas Electronics America Inc | Microchip Technology | Renesas |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.7V ~ 1.9V | - | 2.7V ~ 3.6V | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 165-LBGA (13x15) | - | 48-TFBGA | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | - | 0°C ~ 70°C (TA) | - |
| ชุด | - | * | SST39 MPF™ | * |
| เวลาในการเข้าถึง | 450 ps | - | 70 ns | - |
| ความถี่นาฬิกา | 250 MHz | - | - | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | - | Parallel | - |
| เทคโนโลยี | SRAM - Synchronous | - | FLASH | - |
| ขนาดหน่วยความจำ | 72Mbit | - | 16Mbit | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tray | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 165-LBGA | - | 48-TFBGA | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 2M x 36 | - | 2M x 8 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Surface Mount | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | - | Non-Volatile | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | R1Q2A7236 | - | SST39VF1681 | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | 10µs | - |
| รูปแบบหน่วยความจำ | SRAM | - | FLASH | - |
R1QBA7236RBG-22RB0Renesas Electronics America Inc72-MB DDR II+ SRAM (2M X 36-BIT)
R1Q3A3636BBG-40RRenesas Electronics CorporationR1Q2A3618BBG-50RRenesas Electronics CorporationR1Q2A7236ABG-40IAORenesas Electronics CorporationR1Q2A7218RBG-40RRenesas Electronics CorporationR1Q3A3609BBG-33RBORenesas Electronics CorporationSST39VF1681-70-4C-B3KEMicrochip TechnologyIC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGAR1Q2A7218ABG-50IRenesas Electronics CorporationR1Q3A7236ABB-33IB0RenesasSTANDARD SRAM, 2MX36, 0.45NS, CMR1Q3A3636ABG-50RAQRenesas Electronics CorporationR1Q2A3636BBG-40RBORenesas Electronics CorporationR1Q2A3636BBG-40RB0Renesas Electronics Corporation
CY62256VNLL-70SNXEInfineon TechnologiesIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOICR1Q2A3618ABG-50RRenesas Electronics CorporationR1Q2A3618BBG-40RRenesas Electronics Corporation
MX25L1633EM2I-10GMacronixIC FLASH 16MBIT SPI 104MHZ 8SOPR1Q2A7236ABB-40IRenesas Electronics CorporationR1QBA7236RBG-22RRenesas Electronics Corporation| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที