Name: Renesas Electronics America Inc R1WV6416RBG-5SI#B0
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: R1WV6416RBG-5SI#B0

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	55ns
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	2.7V ~ 3.6V
เทคโนโลยี	SRAM
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	48-TFBGA (8.5x11)
ชุด	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	48-TFBGA
บรรจุุภัณฑ์	Tray
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ประเภทหน่วยความจำ	Volatile
ขนาดหน่วยความจำ	64Mbit
องค์กรหน่วยความจำ	8M x 8, 4M x 16
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	Parallel
รูปแบบหน่วยความจำ	SRAM
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	R1WV6416
เวลาในการเข้าถึง	55 ns

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	R1WV6416RBG-5SI#B0	MT48H8M32LFB5-10	25AA080-I/SN	IS42S16800E-75ETLI
ผู้ผลิต	Renesas Electronics America Inc	Micron Technology Inc.	Microchip Technology	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	48-TFBGA	90-VFBGA	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	54-TSOP (0.400', 10.16mm Width)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
บรรจุุภัณฑ์	Tray	Box	Tube	Tray
ขนาดหน่วยความจำ	64Mbit	256Mbit	8Kbit	128Mbit
เวลาในการเข้าถึง	55 ns	7 ns	-	5.4 ns
ประเภทหน่วยความจำ	Volatile	Volatile	Non-Volatile	Volatile
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	2.7V ~ 3.6V	1.7V ~ 1.95V	1.8V ~ 5.5V	3V ~ 3.6V
รูปแบบหน่วยความจำ	SRAM	DRAM	EEPROM	DRAM
องค์กรหน่วยความจำ	8M x 8, 4M x 16	8M x 32	1K x 8	8M x 16
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ	Parallel	Parallel	SPI	Parallel
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า	55ns	15ns	5ms	-
ชุด	-	-	-	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	48-TFBGA (8.5x11)	90-VFBGA (8x13)	8-SOIC	54-TSOP II
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	R1WV6416	MT48H8M32	25AA080	IS42S16800
เทคโนโลยี	SRAM	SDRAM - Mobile LPSDR	EEPROM	SDRAM

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

R1WV6416RBG-5SI#B0 - Renesas Electronics America Inc

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

R1WV6416RBG-5SI#B0 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค