Name: Renesas Electronics America Inc RAA229001GNP#HA0
Brand: Renesas Electronics America Inc
SKU: RAA229001GNP#HA0

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

รายการในสต็อคสามารถจัดส่งได้ภายใน 24 ชั่วโมงบางส่วนจะถูกจัดส่งภายใน 1-2 วันนับจากวันที่รายการทั้งหมดมาถึงคลังสินค้าของเราและเรือ Allelco สั่งซื้อวันละครั้งเวลาประมาณ 17:00 น. ยกเว้นวันอาทิตย์เมื่อสินค้าถูกจัดส่งเวลาส่งมอบโดยประมาณขึ้นอยู่กับวิธีการจัดส่งและปลายทางการจัดส่งตารางด้านล่างแสดงให้เห็นว่าเป็นเวลาโลจิสติกสำหรับบางประเทศทั่วไป

ค่าจัดส่ง

ใช้บัญชีด่วนของคุณสำหรับการจัดส่งหากคุณมี
ใช้บัญชีของเราสำหรับการจัดส่งอ้างถึงตารางด้านล่างสำหรับค่าใช้จ่ายโดยประมาณ

(กรอบเวลา / ประเทศ / ขนาดแพ็คเกจที่แตกต่างกันมีราคาแตกต่างกัน)

วิธีการจัดส่ง

การจัดส่งทั่วไปทั่วโลกโดย DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF เราสนับสนุน
วิธีการจัดส่งอื่น ๆ เพิ่มเติมโปรดติดต่อกับผู้จัดการลูกค้าของคุณ

การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป
ภูมิภาค	ประเทศ	เวลาโลจิสติก (วัน)
อเมริกา	สหรัฐ	5
อเมริกา	บราซิล	7
ยุโรป	ประเทศเยอรมนี	5
	ประเทศอังกฤษ	4
	อิตาลี	5
มหาสมุทร	ออสเตรเลีย	6
มหาสมุทร	นิวซีแลนด์	5
เอเชีย	อินเดีย	4
เอเชีย	ประเทศญี่ปุ่น	4
ตะวันออกกลาง	ประเทศอิสราเอล	6

อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx
ค่าจัดส่ง (กก.)	DHL อ้างอิง (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

บันทึก:: ตารางด้านบนมีไว้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้นอาจมีอคติข้อมูลบางอย่างสำหรับปัจจัยที่ไม่สามารถควบคุมได้
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ผู้ผลิต	Renesas Electronics Corporation
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	6V ~ 13.2V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	12-TDFN (3x3)
ชุด	-
เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท)	31ns, 18ns
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	12-WFDFN Exposed Pad
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)
ความถี่ขาเข้า	2

คุณสมบัติสินค้า	ค่าคุณสมบัติ
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
แรงดันลอจิก - VIL, VIH	-
ประเภทขาเข้า	Non-Inverting
แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน)	36 V
ประเภทประตู	N-Channel MOSFET
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน	Half-Bridge
ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink)	-
Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด)	Synchronous
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RAA229001

คุณสมบัติสินค้า
รุ่นผลิตภัณฑ์	RAA229001GNP#HA0	RAA229004GNP#HA0	RAA2230114GSP#HA1	RAA2106104GLG#H/AD0
ผู้ผลิต	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Renesas/IDT
ประเภทประตู	N-Channel MOSFET	N-Channel MOSFET	-	-
แรงดันด้านสูง - แม็กซ์ (เงินทุน)	36 V	36 V	-	-
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน	6V ~ 13.2V	6V ~ 13.2V	-	-
ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink)	-	-	-	-
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน	Half-Bridge	Half-Bridge	-	-
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	12-WFDFN Exposed Pad	12-WFDFN Exposed Pad	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	-
ชุด	-	-	-	-
เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท)	31ns, 18ns	31ns, 18ns	-	-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	12-TDFN (3x3)	12-TDFN (3x3)	8-SOIC	-
ประเภทขาเข้า	Non-Inverting	Non-Inverting	-	-
Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด)	Synchronous	Synchronous	-	-
บรรจุุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-
แรงดันลอจิก - VIL, VIH	-	-	-	-
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RAA229001	RAA229004	RAA2230114	-
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	-
ความถี่ขาเข้า	2	2	-	-

โปรดยึดฉบับภาษาอังกฤษเป็นฉบับทางการ

RAA229001GNP#HA0 - Renesas Electronics America Inc

ขนาด

ชิ้นส่วนที่มีขนาดคล้ายกัน

RAA229001GNP#HA0 Datasheet PDF

สิ้นค้าที่ลูกค้าคนอื่นสนใจ

สินค้าแนะนำ

วิธีขนส่ง

เวลาจัดส่ง

ค่าจัดส่ง

วิธีการจัดส่ง

สนับสนุนการชำระ

คู่ค้าด้านโซ่อุปทานที่ซื่อสัตย์ของคุณ -

หากพบปัญหาใด ๆ โปรดติดต่อเรา

การรับรองและการเป็นสมาชิค