ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RJK0366DPA-00#J0
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Renesas Electronics America Inc - RJK0366DPA-00#J0 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Renesas Electronics America Inc - RJK0366DPA-00#J0
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Renesas Electronics Corporation | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WPAK (3) | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 12.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 30W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1010 pF @ 10 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 25A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Renesas Electronics America Inc RJK0366DPA-00#J0
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | RJK0366DPA-00#J0 | RJK0379DPA-00#J5A | RJK0380DPA-00#J53 | RJK0364DPA-00#J0 |
ผู้ผลิต | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 30W (Tc) | 55W (Tc) | - | 35W (Tc) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | - | 30 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerWDFN | 8-WFDFN Exposed Pad | - | 8-PowerWDFN |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1010 pF @ 10 V | 5150 pF @ 10 V | - | 1600 pF @ 10 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | 37 nC @ 4.5 V | - | 10 nC @ 4.5 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 25A (Ta) | 50A (Ta) | - | 35A (Ta) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-WPAK (3) | 8-WPAK | - | 8-WPAK (3) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 12.5A, 10V | 2.3mOhm @ 25A, 10V | - | 7.8mOhm @ 17.5A, 10V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | - | - | - | - |
ชุด | - | - | * | - |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที